Специалисты Университета ИТМО впервые в России смогли вырастить объёмный монокристаллический слиток оксида галлия. Разработка полупроводника, который позже можно будет использовать для создания электроприборов, заняла пять лет.
В пресс-службе вуза рассказали, что объёмный монокристалл Ga2O3 примечателен тем, что у него ширина запрещённой зоны в 4,8-4,9 электронвольт — такие параметры больше только у алмаза. Он поглощает именно ультрафиолетовое излучение, что позволяет использовать его в солнечно-слепых детекторах. Также полупроводник можно использовать для силовой электроники, а большая ширина запрещённой зоны делает оксид галлия и приборные структуры на его основе более устойчивыми к воздействию ионизирующих излучений, что открывает перспективы для применений этого материала в сфере электроники для ядерной и космической промышленности.
Недавно монокристаллы оксида галлия создавались только в Японии, США и Германии, но теперь, благодаря упорной и многолетней работе учёных ИТМО, кристаллы умеют делать и в России.
Ранее 78.ru писал о том, что серийный образец первого российского робота для нейрохирургии представили в Петербурге.